MOS管測(cè)試儀 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)定儀  型號(hào)：MHY-29256

概述 　

　 MOS管測(cè)試儀是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采 用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效 應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。

主要技術(shù)性能 　　

　　 1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 　

　　　 2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。

　　　　 3、柵極開啟電壓VGS（th） 測(cè)量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 。

　　　　 4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 。 　

　　 　5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。

主要測(cè)試功能 　

　　　 1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。 　

　　　 2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。

　　　　 3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。

　　　　 4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：

　　　 　5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。

　　　　 6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。